大功率深紫外AlGaN基LED芯片产业化关键技术研究数据集

（项目编号：2022YFB3604800）课题二基于高效大功率深紫外LED关键工艺优化内容，包含深紫外LED的n型欧姆接触电极优化，p型高反射电极设计，版图优化等方面内容展开研究。研究了高反射电极体系与高Al组分AlGaN材料的欧姆接触机理和载流子输运机理；进一步研究了深紫外LED 器件光子提取技术，并引入高效微纳衬底出光结构和薄膜结构深紫外LED器件模型；同时探索高效大功率深紫外LED 关键工艺技术。本数据集系统收录了2022 年11 月 至 2025 年10 月期间，涵盖实验原始数据、基础参数数据、实验过程数据、测试分析数据、成果验证数据、第三方检测报告等，覆盖课题从基础参数设计、实验过程实施到性能测试验证的全链条数据。数据集内容包括采用SIMS、AFM、XPS、IV测试、霍尔测试分析等方式，从AlGaN材料掺杂、晶体质量和电学性能方面探讨如何实现符合要求的高质量n-AlGaN生长。采用二维时域有限差分法（FDTD）对图形化蓝宝石衬底在紫外波段光出光特性方面的影响进行了深入而细致的研究。并获取接触电阻率、光电特性、光场分布、辐射模式与提取效率提升的系统数据。集成上述研究成果，完成高效大功率倒装结构深紫外LED的关键工艺开发，形成器件性能测试的实验研究原始记录数据、图表，及指标对应的专利、论文和委托具备CNAS/CMA资质的第三方机构检测报告等成套工艺参数与性能数据库。