3D光电混合集成共封装工艺关键技术

为了实现项目所需的低损耗TSV-RDL链路结构，需要首先对基于TSV有源硅光转接板工艺进行开发，从而实现基于CMOS工艺的3D光电混合集成共封装工艺。为了详细的记录这个过程，本项汇交数据包含基于有源硅光转接板3D 光电混合集成共封装工艺的设计方案、流片方案、相应的测试结果数据。本数据集详细介绍了有源硅光工艺的工艺流程和开发过程，并记载了工艺过程中产生的SEM图片。详细介绍了基于有源硅光转接板的TSV工艺，开发了TSV和通孔刻蚀、TSV和FSRDL层电镀、正面微凸点电镀、临时键合、衬底减薄、背面TSV露头、BSRDL层电镀以及解键合工艺，对最终实现的器件进行磨抛和扫描电镜测试，从而确认我们实现的低损耗TSV-RDL链路结构，并对最终实现的芯片进行电镜下的测量，保持量测数据截图。因此基于有源硅光转接板3D 光电混合集成共封装工艺的设计方案、流片方案、相应的测试结果数据进行了有效记载。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于3D光电混合集成共封装工艺的关键技术开发，旨在实现低损耗TSV-RDL链路结构。它详细记录了基于有源硅光转接板的工艺设计方案、流片过程及测试结果，包括SEM图片等实验数据。