CMOS和超陡摆幅新器件电性参数测试数据

该数据集为开发TFET-CMOS平台试验晶圆收集WAT测试的数据图表，数据来源为中芯北方集成电路制造（北京）有限公司生产线，包括了各片晶圆的工艺试验条件（split table）以及完成全流程后的MOSFET及超陡摆幅新器件（TFET）的WAT测试数据，数据生成地点为中芯北方P2 WAT部门，采集时间为2023-02至2023-06，数据量约为80MB，包含了文件、表格及图片。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集包含CMOS和超陡摆幅新器件（TFET）的电性参数测试数据，源自中芯北方集成电路制造（北京）有限公司的生产线，采集于2023年2月至6月。数据涵盖了工艺试验条件及WAT测试结果，总量约为80MB，以多种文件格式呈现。