CMOS和超陡摆幅新器件混合集成工艺技术

该数据集为开发TFET-CMOS平台试验晶圆相关器件切片照片，数据来源为中芯北方集成电路制造（北京）有限公司生产线和失效分析系统，包括了各片晶圆的工艺试验（不同隔离结构）测试原始数据，采集时间为2022-07至2023-08，数据量约为43MB，包含了文件、表格及图片。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集包含TFET-CMOS平台试验晶圆的器件切片照片及工艺测试原始数据，源自中芯北方集成电路生产线，采集于2022年7月至2023年8月。数据涉及超陡摆幅低功耗集成电路技术，涵盖图片、表格等多种文件格式。