InGaN材料模拟数据集

基于一定的物理化学原理，利用计算机对特定体系进行原子尺度的模拟计算，研究体系的结构、性质、动力学行为等，预测新材料、发现新机制，为实验提供理论解释和指导。基于第一性原理，通过对InGaN材料及成核等过程的模拟可有效指导外延生长。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集基于第一性原理，通过原子尺度的计算机模拟研究InGaN材料及成核过程，旨在预测新材料和指导外延生长。它包含1.7MB的数据量，共25个文件，由华南理工大学相关作者创建。