硅基半导体单双量子点制备

在同位素纯化的硅基金属氧化物半导体材料上制备了带有单电子晶体管和微磁体结构在内的双量子点器件，其中单电子晶体管用来探测量子点内电子隧穿，微磁体则提供垂直外磁场方向的磁场梯度，实现比特操控。电子被静电束缚在量子点内，其自旋状态被用来编码量子比特。通过改变量子点电极电压，可以看到两个量子点分别被调至少电子区；同时可以看到双点之间存在隧穿耦合，证明形成了可调节至少电子区的双量子点。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集涉及在同位素纯化的硅基半导体材料上制备双量子点器件，该器件包含单电子晶体管和微磁体结构，用于电子隧穿探测和自旋量子比特操控。实验通过调节电极电压，实现了双量子点至少电子区的可调谐，并验证了它们之间的隧穿耦合。