Si 衬底上GaN基HEMT 器件设计及关键制备技术数据集

本数据集来源于课题“Si衬底上GaN基HEMT器件设计及关键制备技术研究”，本数据集包含耐压提升的电场调控技术研究数据，包括用于900 V及以上高压工作的GaN HEMT器件结构TCAD仿真报告与数据，如仿真模型、器件结构参数、电场/电势分布图等；高耐压下低比导通电阻技术研究数据，包括PN结端口结构仿真数据；相关设计与工艺数据，包含芯片Layout 版图文件、支撑芯片面积缩减的平坦化工艺电子显微图像、GaN表面钝化介质层沉积工艺样品的电子显微图像；获得的导通电阻、击穿电压、反向漏电等实验数据。高压应力下动态导通电阻退化抑制技术研究数据，包含动双脉冲测试动态稳定性表现测试数据、GaN HEMT中二维电子气电子浓度对GaN 帽层厚度关系、常规与δ掺杂HEMT电场分布、δ掺杂HEMT 二维电子气参数与结构设计关系、常规与δ掺杂HEMT 输出与转移特性对比、不同电压动态表现测试数据、不同缺陷能级下δ掺杂HEMT与常规HEMT 的电流崩塌效应对比验证数据等。该数据集为在器件尺寸和动态响应方面有严苛要求的中高功率应用场景（如工业电机驱动、新能源汽车和可再生能源发电）中的GaN HEMT器件提供了数据支持。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集聚焦Si衬底上GaN基HEMT器件的设计与关键制备技术，包含器件TCAD仿真、电场调控、低比导通电阻设计、芯片版图、平坦化及钝化层沉积工艺，以及动态导通电阻退化抑制等测试数据。该数据集可为工业电机驱动、新能源汽车和可再生能源发电等中高功率应用场景提供关键数据支撑。