基于国产设备的 6~8 英寸碳化硅外延片材料测试数据

本数据集主要涉及6寸SiC外延材料生长研究，包括材料开发过程中的生长设备配置需求、测试设备配置需求、MOCVD生长模式及均匀性、缺表面缺陷密度等调试结果、外延测试表征结果等数据。按照项目指标形成1个数据集文件夹，数据集大小为3.41M。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集主要针对6~8英寸碳化硅外延片在国产设备条件下的材料测试研究，记录了生长设备与测试设备配置需求、MOCVD生长模式及均匀性优化、表面缺陷密度调试结果以及外延测试表征等关键实验数据。数据集共包含5个文件，总数据量约为4.37MB，为碳化硅外延工艺开发提供基础支撑。