薄膜铌酸锂波导与标准单模光纤的单端耦合损耗第三方检测数据

薄膜铌酸锂器件与光纤的耦合损耗是光子集成芯片的主要损耗来源，因此实现较小的单端耦合损耗是降低薄膜铌酸锂芯片整体损耗的关键，更利于薄膜铌酸锂芯片的大规模应用及推广。依据所提供的芯片，按照芯片上耦合波导的参数进行芯片与光纤的耦合封装，并对封装好的器件进行耦合测试。本数据集主要包含芯片与光纤之间的耦合损耗数据，根据相关测试的国家标准进行了测试并最终记录了相关数据。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集为薄膜铌酸锂波导与标准单模光纤单端耦合损耗的第三方检测数据，基于相关国家标准对封装后的芯片-光纤器件进行测试，记录了耦合损耗值。数据集共23个文件（53.04MB），涵盖jpg、pdf、docx格式，旨在为降低光子集成芯片整体损耗提供依据。