共平面波导高速忆阻器开关响应时间性能

采用任意波形发生器（AWG）与高频示波器联用的测试系统，在共平面波导（CPW）结构上开展了氮化铝（AlN）基高速忆阻器的开关响应时间测试，研究了皮秒级电压脉冲激励下器件阻态翻转的关键特性。本数据集记录了CPW结构AlN忆阻器的器件制备工艺参数、直流电学性能以及高频脉冲测试下的半高峰宽（FWHM）、阻态翻转电流和Set操作后的I-V曲线等关键数据。结果表明，该CPW结构AlN忆阻器的开关响应时间最低可达72 ps，且在78 ps脉冲下可连续稳定开关5次，实现了亚纳秒级的高速非易失开关特性。