基于新生长技术制备GaN单晶的位错密度采集实验数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-07-10 收录
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本数据论文记录了氨热法与助熔剂法生长氮化镓单晶的缺陷演化规律与工艺优化机制数据。本数据集完整记录了腐蚀坑形貌、X射线衍射摇摆曲线及扫描电子显微镜截面图像等关键数据，为理解基于新生长技术制备的GaN单晶的生长动力学及优化大尺寸单晶制备工艺提供了重要依据。数据量89 MB。
提供机构：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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本数据论文记录了氨热法与助熔剂法生长氮化镓单晶的缺陷演化规律与工艺优化机制数据。本数据集完整记录了腐蚀坑形貌、X射线衍射摇摆曲线及扫描电子显微镜截面图像等关键数据，为理解基于新生长技术制备的GaN单晶的生长动力学及优化大尺寸单晶制备工艺提供了重要依据。数据量89 MB。