微电子所Ag阳离子基选通器件数据集

通过石墨烯缺陷工程，可以在一个材料体系中同时实现低工作电流（≈1 μA）的存储器和高驱动电流的（ ≈1 mA）选通器。基于系统的材料分析，CF的直径由石墨烯缺陷的大小来调节。并研究了柔性衬底的基于阳离子的选通器件。展示出优异的双向挥发性TS特性。该数据集记录了基于阳离子的选通器件研制的工艺、电学、仿真等数据。记录了选通器件的阵列工艺，记录里柔性衬底上选通器件的工艺、电学特性能数据。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了基于Ag阳离子基选通器件的研制数据，通过石墨烯缺陷工程实现了低工作电流（约1 μA）的存储器与高驱动电流（约1 mA）的选通器。数据内容涵盖器件工艺、电学特性及仿真数据，并包括阵列工艺及柔性衬底上的选通器件性能数据。