Data about surface passivation of c-Ge by Al2O3 films
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Data regarding the measurement of effective surface recombination velocity (Seff) and fixed charge (Qf) as a function of aSiCx thickness. Data of Capacitance-Voltage (C-V)...
本数据集涵盖以无定形碳化硅（aSiCx）厚度为自变量的有效表面复合速度（effective surface recombination velocity，Seff）与固定电荷（fixed charge，Qf）的测量数据，以及电容-电压（Capacitance-Voltage，C-V）相关数据……
