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Si衬底上高质量AlGaN/GaN异质结构材料|半导体材料数据集|电子器件数据集

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国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
半导体材料
电子器件
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https://www.nbsdc.cn/general/dataDetail?id=64edc730bb16e07753c34935&type=1
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资源简介:
GaN基异质结构形成二维电子气的电学性质极大地影响了器件的输出特性和转移特性,而其二维电子气的电学性质与外延生长中的生长调控有着紧密的关联。本成果相关的研究中,我们一方面优化Si衬底GaN缓冲层晶体质量,并且对异质结构生长过程进行了全面的优化研究,最终实现了高面密度,高迁移率的二维电子气,给器件性能表现做了良好的基础。
提供机构:
北京大学
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