硅衬底InGaN Micro-LED芯片研究数据

本数据集主要面向适用于微显示屏集成的高光效硅衬底InGaN Micro-LED芯片研究，基于硅衬底GaN基Micro-LED长波长外延结构的设计与MOCVD生长，以及Micro-LED芯片器件制造工艺的研发和器件性能测试产生，主要记录了Micro-LED外延片样品外观形貌、表面缺陷、晶体质量和光学特性，Micro-LED芯片尺寸、电致发光光电特性和峰值EQE效率等测试数据，数据总量159.3MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集聚焦于面向微显示屏集成的高光效硅衬底InGaN Micro-LED芯片研究，涵盖外延结构设计、MOCVD生长、器件制造工艺及性能测试等环节。数据内容包括外延片的外观形貌、表面缺陷、晶体质量和光学特性，以及Micro-LED芯片的尺寸、电致发光光电特性与峰值EQE效率等测试结果，总数据量约159.3MB。