InGaN基长波段LED材料结构实验数据

本数据集主要面向InGaN基长波段LED材料结构研究，基于硅基氮化镓材料生长与InGaN基量子阱材料制备实验产生，主要记录了V缺陷三维PN结模拟仿真和V缺陷三维PN结材料结构设计与实验数据，包括V缺陷三维PN结模拟计算数据、生长实验中量子阱荧光发光形貌、XRD结构衍射、二次离子质谱仪(SIMS)数据、电致发光测试原始记录数据，数据总量1.05 GB。