MoS2晶体管数据集

本项目采用了倒置翻转范德华技术，将超薄氮化硼置于MoS2顶层，制备了具有（2~4层）氮化硼隧穿层的MoS2隧穿场效应晶体管，该晶体管仅在门电压的调控下，便可实现pn二极管、全关、np二极管、以及全开四种不同的工作组态。为日后发展逻辑电路提供很好的实验基础。This project employed the inverted flip van der Waals stacking technique to deposit ultra-thin boron nitride on the top of MoS2, and fabricated MoS2-based tunnel field-effect transistors (TFETs) with a boron nitride tunneling layer of 2 to 4 atomic layers. These devices can achieve four distinct working modes: pn diode, fully off, np diode, and fully on, solely via gate voltage modulation, providing an excellent experimental foundation for the future development of logic circuits.

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集基于倒置翻转范德华技术，制备了含氮化硼隧穿层的MoS2隧穿场效应晶体管，通过门电压调控可实现多种工作组态。它为逻辑电路的发展提供了实验基础，数据量约为48.84MB，包含124个文件。