SiC MOSFET器件快重离子辐照测试结果

本数据集主要面向SiC功率器件无偏压下重离子辐照损伤机理研究，基于中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速装置的辐照实验产生。数据集系统收录了商用产品级SiC MOSFET及JBS二极管裸片，使用Bi和Ta等快重离子在不同注量下辐照的实验数据。核心内容包括通过SRIM软件计算的离子能量与射程、利用半导体参数分析仪测量的电学特性参数变化、以及通过聚焦离子束制样并结合高分辨透射电镜获取的微观结构表征结果。数据总量约为1.00 GB，为揭示重离子辐照导致SiC器件的性能退化与损伤机制提供了关键的多维度实验数据支撑。