中红外HgCdTe雪崩光电探测器中的塌缩击穿数据集

在各种候选光电探测中，基于碲化镉（MCT）的雪崩光电探测器——实现高增益和低暗电流的终极途径低功耗和小体积的性能配置。与它们的短波长相比对应物：硅、锗或铟镓砷基探测器，生长相对不成熟，质量较差MCT材料的掺杂导致HgCdTe基雪崩光电探测器仅在线性模式下工作，并且在高偏压下倍增区很容易被击穿。数据量3.85MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于中红外HgCdTe雪崩光电探测器中的塌缩击穿现象，涉及基于碲化镉（MCT）的探测器技术，旨在实现高增益和低暗电流性能。由于材料质量限制，探测器仅在线性模式下工作，且在高偏压下易发生击穿，数据量约为3.85MB。