Geometrical magnetoresistance effect for carrier mobility extraction in InGaAs MOSFETs

NIAID Data Ecosystem2026-05-01 收录

半导体表征

载流子迁移率

数据链接：

https://zenodo.org/record/8093258 数据链接链接失效反馈

官方服务：

资源简介：

Dataset from gMR measurements on InGaAs MOSFETs.

创建时间：

2023-06-30

高深宽比的超级结结构过程数据及测试数据

SiC功率器件

半导体表征

面向新一代高压SiC功率器件对高深宽比超级结制造工艺的迫切需求，项目旨在攻克深槽刻蚀、离子注入及外延填充等关键工艺技术瓶颈。数据集主要面向半导体器件工艺开发、材料生长质量控制及器件结构可靠性研究，基于二次离子质谱仪（SIMS）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等高端表征设备产生，系统记录了实现高深宽比超级结结构全链条的离子注入杂质纵向分布、外延

国家基础学科公共科学数据中心110

UV-Vis analysis

半导体表征

材料光谱分析

ZnS_name of sample ZnS_Ag_2ml_name of the sample ZnS_Ag_4ml_name of the sample ZnS_Ag_7ml_name of the sample ZnS_Ag_10ml_name of the sample

Zenodo2025-02-24 更新70

Data publication: Morphological transitions in the patterning of the crystalline Ge(001) surface induced by ion irradiation

离子束改性

半导体表征

Rohdaten Rasterkraftmikroskopie

DataCite Commons2024-08-12 更新70

Guidelines for accurate and efficient calculations of mobilities in two-dimensional materials

二维材料

载流子迁移率

Emerging two-dimensional (2D) materials bring unprecedented opportunities for electronic applications. The design of high-performance devices requires an accurate prediction of carrier mobility in 2D

DataCite Commons2026-03-12 更新80

全二维场效应晶体管器件的新型功能器件研究

二维材料光学

半导体表征

全二维场效应晶体管器件的新型功能器件研究数据，数据类型为文件，数据量共115MB，共享方式为完全共享。数据主要涉及光电探测器件及视觉传感器件的性能。该数据集样品表征部分由透射电镜（JEOLJEM-2100F）、光学显微镜（OlympusBX51）实现。输运数据部分于2019年-2024年在湖南大学低温半导体输运测量系统采集。光电响应的数据采集主要采用高速示波器和Keithley4200和Agile

国家基础学科公共科学数据中心70

Geometrical magnetoresistance effect for carrier mobility extraction in InGaAs MOSFETs

资源简介：

相关数据集