磁传感器芯片的结构设计及制造工艺研究

本数据集主要涉及磁栅尺AMR传感器元件各部分设计、工艺、抗辐照性能、磁性能的实验与模拟计算等研究，收集了AMR传感器的版图设计及各工艺与磁电性能之间内在关系、辐照前后静态响应信号、宽度方向非均匀退磁场模型响应的实验与计算模拟等数据。数据量23.8 MB。 数据集内包含任务书中与磁传感器芯片结构设计与性能优化相关的研究内容、第三方测试报告、2个论文、2个专利的原始及衍生数据。 AMR磁传感器芯片工艺优化数据，于2023.3-2023.8采集，地点为季华实验室；AMR磁传感器芯片辐照数据，于2023.3-2023.8采集，地点为季华实验室；AMR磁阻元件宽度方向退磁场研究数据，于2024.1-2024.5采集，地点为季华实验室；磁栅位置传感器尺寸第三方测试数据及测试报告，于2024.1采集，地点为中国计量科学研究院；论文数据，于2023.3-2024.5采集，地点为季华实验室；专利数据，于2023.3-2024.5采集，地点为季华实验室。 以上数据的获得借助于但不局限于以下手段：游标卡尺、驱动器、示波器、励磁电源、纳伏表、直流源表、亥姆霍兹线圈。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于磁传感器芯片的结构设计与制造工艺，具体包含AMR传感器的版图设计、工艺优化、抗辐照性能及退磁场模型等实验与模拟数据。数据来源于2023年至2024年在季华实验室和中国计量科学研究院的采集，涵盖任务书、测试报告、论文和专利相关原始及衍生数据，总数据量为23.8 MB。