雪崩光电二极管（APD）测试数据集

锗硅APD的优化与调制器类似，主要通过结构与掺杂来实现。结构优化包括了波导的宽度，长度以及锗生长的厚度；掺杂优化主要涉及浓度与PN结的位置。优化后的锗硅APD在20V偏压的条件下，增益接近10dB，响应度可以达到10A/W，暗电流小于2µA，可以满足该研究需求的灵敏度<-26dBm。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于雪崩光电二极管（APD）的测试，具体针对锗硅APD通过结构与掺杂优化，在20V偏压下实现了增益接近10dB、响应度10A/W和暗电流低于2µA的性能，满足灵敏度要求。它来源于“无源光网络中的25G/100G混合光子集成芯片及模块”这一国家重点研发计划项目。