III-V族光外延数据集

本数据集汇集了用于半导体激光器的外延片生长与表征过程中产生的关键实验数据，重点围绕外延结构质量及其均匀性展开系统分析。数据内容涵盖InP基半导体激光器外延结构的缺陷态密度、外延厚度均匀性及组分均匀性等核心参数，为后续激光器器件设计、工艺优化与性能评估提供基础支撑。数据集主要包括三类外延表征数据： （1）外延缺陷态密度测量数据：采用表面缺陷分析仪对外延片表面缺陷进行扫描与统计分析，获取缺陷密度、缺陷尺寸分布及空间分布特征，用于评估外延材料的表面质量及生长过程中的缺陷引入情况； （2）外延厚度均匀性测量数据：采用高分辨X射线衍射（XRD）测试技术，对外延层周期结构及厚度一致性进行表征，分析外延片不同位置的厚度偏差与整体均匀性； （3）外延组分均匀性测量数据：通过面扫光致发光（PL）光谱测试，对外延量子阱或有源层的发光峰位分布进行统计分析，从而评估材料组分及应变分布的空间均匀性。 其中，PL测试的波长分辨率优于0.1 nm，XRD测试可分辨亚纳米量级的外延厚度变化，能够满足激光器对材料一致性与稳定性的严格要求。