外延生长综合质量指数数据

【适用条件】本数据集适用于配备全自动外延工艺设备、具备温度、压力、流量与泄漏记录的半导体外延生产与使用企业。 【适用范围】适用于外延工艺综合质量评价、批次质量对标、设备运行状态评估等领域。覆盖半导体外延片生产企业、半导体材料制造企业、第三方检测机构等机构类型。 【适用对象】面向质量管理人员、外延工艺工程师、设备工程师、材料研究人员、行业研究人员。 【解决的核心问题】（1）工艺质量缺乏综合度量：以温度、压力、源气与泄漏四项指标合成综合指数，解决单指标无法反映整体质量的问题；（2）批次质量难以横向比较：以归一化指标消除量纲差异，为不同批次提供统一质量标尺；（3）质量追溯支撑不足：为外延片批次质量追溯提供综合指数数据。 【数据流通与应用价值】本数据集以四项归一化指标与综合质量指数刻画外延生长综合质量，口径统一、可移植性强。可应用于：（1）质量评价：为外延企业评价批次综合质量提供统一指数；（2）批次对标：为采购方比较不同批次外延片质量提供数据；（3）行业研究：为研究机构分析半导体外延质量水平提供基础数据；（4）数据库建设：为质量档案提供综合指数指标。数据集遵循数据安全相关规范，不涉及个人信息。（一）加工前的数据说明 原始数据来源于中电晶华企业生产数据报表管理系统，由全自动外延工艺设备自动采集，在业务经营过程中依法采集。原始数据包含记录时间、温度设定值Temperature_Set_Value、生长温度Temperature_Real_Value、炉内压力RunPressure、主氢气流量H2_Main、三氯氢硅流量Source、泄漏值TCH2Leak等实时工艺参数。加工前统一数值格式并剔除缺失记录。 （二）处理规则 1. 极值统计：统计全体记录中炉内压力RunPressure、三氯氢硅流量Source、泄漏值TCH2Leak的最大值，得到压力最大值、源气流量最大值、泄漏最大值字段。 2. 温度控制指标：按公式""温度控制指标=1-|Temperature_Real_Value-Temperature_Set_Value|/Temperature_Set_Value""逐行计算。 3. 压力水平指标：按公式""压力水平指标=RunPressure/压力最大值""逐行计算。 4. 源气供给指标：按公式""源气供给指标=Source/源气流量最大值""逐行计算。 5. 泄漏水平指标：按公式""泄漏水平指标=1-TCH2Leak/泄漏最大值""逐行计算。 6. 综合质量指数：按公式""综合质量指数=温度控制指标×0.4+压力水平指标×0.2+源气供给指标×0.2+泄漏水平指标×0.2""逐行计算，权重依据温度控制对外延质量影响程度设定：温度0.4，其余各0.2。 7. 等级判定：综合质量指数≥0.8为优，0.6≤综合质量指数<0.8为良，综合质量指数<0.6为一般，得到外延质量等级字段。 以上计算结果均保留2位小数。 （三）数据内容描述 经加工后形成的数据集包含16个字段：记录时间、主氢气流量H2_Main、三氯氢硅流量Source、泄漏值TCH2Leak、温度控制指标、压力水平指标、源气供给指标、综合质量指数等16个字段，以四项指标与综合质量指数刻画外延生长综合质量，供质量评价与批次对标使用。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

外延生长综合质量指数数据面向半导体外延生产与使用企业，基于设备自动采集的温度、压力、源气流量和泄漏等工艺参数，通过归一化与加权计算生成温度控制指标、压力水平指标、源气供给指标、泄漏水平指标、综合质量指数及外延质量等级，用于工艺质量评价、批次对标、设备状态评估和质量追溯。该数据集为xlsx格式，共42934条、16个字段，按需更新，已登记数据知识产权，申请人为杭州电子科技大学平湖数字技术创新研究院有限公司和中电晶华（天津）半导体材料有限公司。