忆阻器件开关速度与能耗等性能的调控
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据集包含1）忆阻器开关速度与能耗测试数据。2）界面特性和阻抗建模的测试数据，主要包含IV和阻抗测试数据以及器件表征数据。3）北京超级云通过VASP计算得到的HfO2晶界、Si掺杂Ta2O5数据，主要包含计算过程所使用的输入文件、态密度文件、电荷密度图片及能量表格。4）掺杂、退火和等离子体处理的测试数据，主要包含IV和阻抗测试数据以及器件表征数据。
提供机构：
中国科学院微电子研究所搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集包含忆阻器开关速度与能耗测试数据、界面特性与阻抗建模数据、基于VASP计算的HfO2晶界及Si掺杂Ta2O5数据，以及掺杂、退火和等离子体处理测试数据，共107个文件（96.25MB），由中国科学院微电子研究所刘晓彦和王德君提供，覆盖忆阻器性能调控的关键方面。
以上内容由遇见数据集搜集并总结生成
