DC-MZI型模式选择开关模拟及验证数据集

围绕国家信息领域中高端光电子芯片与器件国产化等国家战略性需求，开展光开关的研究，设计并且制备了一种基于马赫-曾德尔干涉仪结构的二氧化硅波导模式选择开关。该器件由不对称定向耦合器及金属电极组成。通过金属电极产生的热场改变单模波导中的模式相位,实现了单模波导中E模式向多模波导中E。模式的转换。器件采用标准CMOS工艺制备,在调制臂两侧引入空气槽提高热场调制效率,降低开关功耗。实验结果表明,当输入E..模式时,输出端的串扰小于-17.13dB,消光比大于16.7dB;当输入E模式时,输出端的串扰小于一19.84dB,消光比大于22.5dB。模式开关的上升时间和下降时间分别为0.7ms和1ms。该模式选择开关在模分复用系统中具有良好的应用前景。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集面向国家光电子芯片国产化战略需求，聚焦基于马赫-曾德尔干涉仪结构的二氧化硅波导模式选择开关，通过热光效应实现模式转换。器件采用CMOS工艺制备，实验显示其具有低串扰、高消光比和快速开关时间，适用于模分复用系统。