上海微系统所掺杂Ge2Sb2Te5相变材料及器件数据

Cr掺杂Ge2Sb2Te5的微观结构和器件性能研究，具体包括以下数据：1）不同组分的Cr-GST薄膜的电阻-温度曲线、保持力、微观结构；2）Cr-GST相变存储单元的I-V, R-V以及疲劳性能。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料及器件研究，包含不同组分薄膜的电阻-温度特性、保持力及微观结构数据，以及相变存储单元的电流-电压、电阻-电压和疲劳性能测试结果。数据由中科院上海微系统所提供，涵盖Dm3、txt、dat等多种格式文件。