SHANNON20240612DATA_RawExp__1T2R_PCM_28nm_raw_data

NIAID Data Ecosystem2026-05-02 收录

相变存储器

半导体器件特性分析

数据链接：

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官方服务：

资源简介：

Raw data of the current flowing through the MOSFET, measured in a 1T2R cell.

创建时间：

2024-06-12

GeSAs选通管

相变存储器

互补金氧研究

本实验均使用时代芯存 45 nm CMOS 工艺制作的以 TiN 为底电极的流片进行电学测试。流片的示意图如图 1a所示，左侧小阵列用于探针台测试，共计12 列，从左向右，底电极直径分别为60nm，120nm，150 nm 和 200 nm，每三列为同一种尺寸，其中的小阵列中包含2个公共电极与 40 个小电极，如图1b所示，而右侧得横向阵列则用于相变存储器高速皮秒测试或是用于器件的电阻温度测试，电

国家基础学科公共科学数据中心140

元素碲开关结晶行为

相变存储器

开关机理模拟

本课题在三维相变存储器相关科学研究与工程化蓬勃发展的大背景下，以“元素碲开关结晶行为”为主题，深入开展对Te单质的研究。针对Te单质开关器件超快的晶态-液态转变行为，从Te粉末样品的物理特性入手，探究其融化重结晶的微观特性，配合第一性质原理模拟计算与理论分析，研究其超快开关机理，并为相关基体材料的性能优化与改进提供理论指导，以期对相关科学研究和工程化提供理论支持。

国家基础学科公共科学数据中心70

SHANNON__20240612__DATA_RawExp__VirginState_PCM_90nm

相变存储器

半导体器件

Collection of experimental data performed on virgin-state PCM devices in 90nm technology node by STMicroelectronics.

NIAID Data Ecosystem40

相变存储器的速度极限

相变存储器

纳米电子器件

系统地展示了不同电极尺寸的 Sb 器件在设定脉冲条件下的电压分布情况，结果如图 3.11 所示。电极尺寸越小，同样脉冲条件下完成 Set 操作所需脉冲电压就越小，如在 10000 ps 条件下，200 nm 器件单元需要 2.9 V，随着器件尺寸减小，电压需要降低至 2.6 V（120 nm）和 2.1 V（60 nm）。这主要是因为 Set 操作主要是相变材料的结晶过程，电极尺寸越小，柱状电极上

国家基础学科公共科学数据中心120

SHANNON__20240612__DATA_RawExp__1T2R_PCM_28nm_raw_data

相变存储器

纳米器件电气表征

Raw data of the current flowing through the MOSFET, measured in a 1T2R cell.

Zenodo2024-06-12 更新50