related data for SRAM cells

Name: related data for SRAM cells
Creator: Zhang, Haineng
Published: 2021-07-01T00:00:00+08:00

IEEE2021-07-01 更新2026-04-17 收录

SRAM存储器

集成电路可靠性

数据链接：

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官方服务：

资源简介：

these files uploaded mainly used for supporting the research results displayed in paper.

提供机构：

Zhang, Haineng

创建时间：

2021-07-01

TSMC 22nm片上工艺、温度和老化效应检测电路设计与测试数据

集成电路可靠性

芯片测试

本数据集基于TSMC 22nm先进工艺节点构建，是片上工艺、温度及老化检测电路的流片级验证基准数据集，为集成电路可靠性设计、温度感知及老化预警提供标准参考资源。数据集核心包含三类关键电路：基于自定时振荡环的工艺检测电路、高线性度温度检测电路、支持全生命周期老化效应量化评估的老化检测电路。数据结构遵循工业界数模混合设计流程，涵盖四类关键设计视图与验证数据：CDL网表文件（版图与原理图一致性检查）、G

国家基础学科公共科学数据中心580

低温64KB SRAM存储器设计电路和版图文件

SRAM存储器

低温芯片设计

本数据集是进行低温64KB SRAM芯片设计的文件合集，作为流片的重要环节，包含芯片的完整物理设计信息。文件合集包含进行低温64KB SRAM存储器设计的电路文件、版图文件、设计报告、产生的知识产权（集成电路布图设计）及说明文件，为本项目“XDA18030000低温存储器研究”提供了研究基础。

国家基础学科公共科学数据中心130

Cryogenic Temperature Induced Instability of 200MHz CMOS Operational Amplifier

低温电子学

集成电路可靠性

This work investigates the electrical performance of a high speed general purpose operation amplifier, OPA2356, operating under cryogenic temperature -180oC. Evidence of cryogenic-induced instability

DataCite Commons2023-09-15 更新50

低温4KB SRAM存储器设计电路和版图文件

SRAM存储器

存储器版图设计

本数据集是进行低温4KB SRAM芯片设计的文件合集，作为流片的重要环节，包含芯片的完整物理设计信息，也为本项目“XDA18030000低温存储器研究”提供了研究基础。文件合集包含进行低温4KB SRAM存储器设计的电路文件、版图文件、设计报告和说明文件。

国家基础学科公共科学数据中心150

低温4KB SRAM芯片性能测试数据

SRAM存储器

低温测试

本数据集基于4KB SRAM，进行芯片功能测试。数据集中测试数据是在上海微系统与信息技术研究所实验室测试得到的，数据采集过程中使用了泰瑞达公司生产的Magnum II测试机台等设备，发送并采集数据，用杜瓦罐提供4.2K的测试环境。

国家基础学科公共科学数据中心120