基于新生长技术制备GaN单晶的电阻率采集实验数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-07-10 收录
官方服务：
资源简介：
本数据集包含氨热法与助熔剂法生长的GaN单晶及其掺杂改性，构建了包含电学、光学及微观结构表征数据。具体包括霍尔效应、二次离子质谱、辉光放电质谱、光致发光数据测试数据，n 型GaN 单晶衬底和半绝缘GaN单晶衬底电阻率测试数据。数据量65MB。
提供机构：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
社区交流群
科研交流群
商业服务
本数据集包含氨热法与助熔剂法生长的GaN单晶及其掺杂改性，构建了包含电学、光学及微观结构表征数据。具体包括霍尔效应、二次离子质谱、辉光放电质谱、光致发光数据测试数据，n 型GaN 单晶衬底和半绝缘GaN单晶衬底电阻率测试数据。数据量65MB。