封装仿真-Bias-Tee仿真数据集

本数据集为“CPW Bias-Tee 结构仿真数据”，对应项目中射频封装结构与直流偏置网络共存条件下的电磁特性评估需求。Bias-Tee 是射频器件封装中不可或缺的结构单元，其作用是在不影响高频信号完整性的前提下向器件施加稳定的直流偏置。本数据集提供了完整的 Bias-Tee 三维电磁建模、S 参数仿真结果、电场分布及阻抗特性分析，用于验证所设计的 CPW 结构在目标频段内信号与偏置路径之间的隔离度、插入损耗水平以及电感—电容网络的分布式电磁性能。该数据是任务书中“偏置网络与高频信号通道隔离设计”关键指标的主要技术支撑材料。