PAM4 LDD和TIA芯片电接口插损数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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电接口插损是是5G光传输的核心电芯片中的一个重要性能参数,电插损数据基于误码仪、光功率计等设备搭建的电接口插损测试系统产生,主要记录光纤两端光功率,通过调节光纤上的损耗,在保证光功率之差为30 dB的前提下,记录了误码率。
提供机构:
华中科技大学搜集汇总
数据集介绍

背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于5G光传输核心电芯片中的电接口插损性能,通过搭建测试系统记录光纤两端光功率和误码率。它属于电子与通信技术领域,具体涉及集成电路和半导体技术。
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