6英寸SiC同质外延材料数据集

为实现6英寸4H-SiC低缺陷密度、高均匀性外延生长及控制技术，建立外延材料、器件特性间联动关系，反馈衬底使用数据，满足大尺寸SiC衬底的工程化应用需求，本数据集记录了采用高温化学气相沉积（HT-CVD）法制备6英寸4H-SiC同质外延材料的完整实验数据，涵盖外延生长工艺参数、多维度性能表征（表面致命形貌缺陷密度、基平面位错密度、外延层厚度、掺杂浓度均匀性、表面粗糙度）等系列实验。本批次外延片经表征检测表明：表面致命形貌缺陷密度不超过0.15 cm⁻²，外延层基平面位错密度不超过0.1 cm⁻²，掺杂浓度不均匀性不超过2%，外延层厚度不低于10 μm且厚度不均匀性不超过1.5%，表面粗糙度不超过0.2 nm，数据集为6英寸4H-SiC外延工艺优化、缺陷控制机理研究及相关器件研发提供了全面、可靠的实验数据支撑。