基于高均一性有机薄膜晶体管的神经刺激阵列仿真与流片测试实验数据

包含基于低温多晶硅薄膜晶体管的神经刺激单元测试和基于高均一性有机薄膜晶体管的神经刺激阵列工艺评估、流片测试的数据，包括实验得到的神经刺激功能及性能数据、图表以及对应的1篇论文。
设计4T1C神经刺激单元及阵列，使用低温多晶硅薄膜晶体管工艺进行预流片，完成单元神经刺激功能的电路级测试实验。开发高均一性的有机薄膜晶体管集成工艺，使用半导体分析仪B1500A进行对开发工艺制备的单个晶体管的性能测试实验。使用开发的高均一性OTFT工艺，制备4T1C神经刺激阵列，并搭建PCB与STM32单片机测试系统进行阵列电路刺激功能、输出同步、电流均一性的测试实验。
采集地点及时间：
于2023年8月~2023年10月在清华大学电子工程系完成工艺评估及芯片测试。