基于国产设备的 6~8 英寸碳化硅衬底材料测试数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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资源简介：
本数据集主要涉及6寸SiC单晶生长研究，包括材料开发过程中的生长设备配置需求、测试设备配置需求、衬底表面粗糙度等数据。本数据汇交技术方案所涉及的所有数据按照项目指标形成1个数据集文件夹（2021YFB3401604-001-基于国产设备的 6~8 英寸碳化硅衬底材料测试数据），数据集大小为3.45M。
提供机构：
湖南三安半导体有限责任公司搜集汇总
背景与挑战
背景概述
本数据集聚焦于国产设备下6~8英寸碳化硅衬底材料的测试数据，涵盖6寸SiC单晶生长研究中的生长与测试设备配置需求以及衬底表面粗糙度等信息。数据集以项目编号命名，总大小为3.45M，为碳化硅衬底材料开发提供基础数据支撑。
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