亚10纳米高性能碳管CMOS器件制备数据集

亚10纳米高性能碳管CMOS器件制备数据集是由北京大学电子系物理电子所建立的一个数据集，北京大学物理电子所基于碳纳米管薄膜，成功构建高性能亚10nm碳管CMOS器件。在本数据集中，记录了亚10nm碳管CMOS器件有效栅长，p型和n型器件有效栅长均小于10nm，本征门延时均小于0.1 ps，室温亚阈值摆辐小于75mV/dec。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集由北京大学物理电子所基于碳纳米管薄膜构建的高性能亚10纳米碳管CMOS器件制备而成，记录了p型和n型器件有效栅长均小于10nm、本征门延时低于0.1ps、室温亚阈值摆幅小于75mV/dec等关键参数，为碳基纳米电子器件研究提供了重要数据支撑。