抗辐射SiC二极管辐射失效机理研究数据

本数据集为针对抗辐射SiC二极管器件在2023年~2025年期间高温和抗辐照实验研究中的测试数据集合，其中主要包括被测器件的高温特性、总剂量辐照实验辐照前、中、后的测试数据以及单粒子辐照实验前、中、后的测试数据以及辐照后漏电退化研究。被测样品抗辐射SiC JBS器件为中国科学院微电子研究所自研器件。本数据集文件夹内包含4个子文件夹，其中 (1) 抗辐射SiC二极管高温试验数据 ，包含常温测试和高温测试的原始测试记录，数据量49.1KB； (2) 抗辐射SiC二极管总剂量实验数据，包含总剂量辐照前中后的测试原始记录和总剂量辐照源参数，数据量591KB； (3) 抗辐射SiC二极管单粒子实验数据，包含200V与400V反向偏置下辐照前中后的测试原始记录和单粒子辐照源参数，数据量2.38MB； (4) 重离子辐照引起的P+宽度不同的4H-SiC JBS二极管漏电退化的研究，包含不同P+注入区间隔的SiC JBS二极管的Ta重离子（中国科学院院近代物理研究所）辐照实验测试及TCAD仿真数据，数据量1.75MB；数据格式包括*.docx、*.doc等。