基于介电层沉积调控光子寿命的1300nm VCSEL带宽增强数据集

本项目面向低成本中长距离高速光通信对1300nmVCSEL的迫切需求，项目围绕“高速低功耗1300nmVCSEL带宽限制机理与提升机制”关键科学问题，和“高速低功耗1300nmVCSEL制备和测试表征”关键技术问题，研制出高速低功耗1300nmVCSEL芯片，实现高速低功耗1300nmVCSEL中长距离光纤传输示范。本数据集主要记录了1300nmVCSEL上DBR表面沉积介电层调控光子寿命研究的实验数据，介电层厚度与DBR反射率、镜面损耗和光子寿命研究的实验数据；1300nmVCSEL介电层厚度、BTJ直径、台面直径与光限制因子、模式、阈值电流密度、阈值电压、翻转电流、最大光功率、微分电阻、WPE、DQE等静态参量研究的实验数据；1300nmVCSEL介电层厚度、BTJ直径、台面直径与微分增益、增益压缩因子、D因子、驰豫振荡频率、MCEF因子、带宽、光子寿命、K因子、阻尼和寄生等动态参数研究的实验数据，数据量150MB。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于1300nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）的带宽增强研究，通过介电层沉积技术调控光子寿命。它包含了与介电层厚度、结构尺寸相关的静态和动态参数实验数据，旨在支持高速低功耗光通信应用。