超浅陡峭掺杂及探测效率提升

数据集包括了基于sentaurus平台建立硅光电倍增管微像元的仿真模型以预测并优化器件表面欧姆区厚度和雪崩区宽度的仿真数据以及实际制备得到的原型器件性能测试数据，具体包括BUPT11-B、BUPT13和BUPT15三个批次的硅光电倍增管掺杂浓度、电场分布和雪崩击穿概率分布的仿真数据，以及改变表面欧姆区浓度、接触孔浓度、像元规模、像元尺寸和雪崩区面积后测试得到的正反向电流-电压、电容-电压、增益、光谱响应和光探测效率的性能表征数据；硅光电倍增管原型器件的光探测效率、填充因子、芯片尺寸和增益的自测试数据以及第三方测试数据，以及现场测试视频。BUPT11-B相关数据采集于2022年3月至2022年6月，BUPT13相关数据采集于2022年9月至2023年6月，BUPT15相关数据采集于2023年9月至2023年12月。硅光电倍增管原型器件的光探测效率、填充因子、芯片尺寸和增益的自测试数据采集于2024年9月，硅光电倍增管原型器件的光探测效率、填充因子、芯片尺寸和增益的第三方测试数据，以及现场测试视频采集与2024年10月。大小约306MB

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于硅光电倍增管的超浅陡峭掺杂工艺及探测效率提升研究，包含基于Sentaurus平台的仿真模型数据（如掺杂浓度、电场分布）和实际原型器件的性能测试数据（如光探测效率、增益）。数据覆盖多个批次，采集于2022年至2024年，总大小约306MB。