FLASH_H2020_Electrical_characterization_Dataset

B2FIND2026-04-29 收录

半导体表征

电子器件测试

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https://b2find.eudat.eu/dataset/a0a55353-e348-567b-bfec-1f0d3e6d3b24 数据链接链接失效反馈

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Electrical Characterization Dataset for the FLASH project- Far-infrared Lasers Assembled using Silicon Heterostructures (766719) supported by the European Union research and...

高深宽比的超级结结构过程数据及测试数据

SiC功率器件

半导体表征

面向新一代高压SiC功率器件对高深宽比超级结制造工艺的迫切需求，项目旨在攻克深槽刻蚀、离子注入及外延填充等关键工艺技术瓶颈。数据集主要面向半导体器件工艺开发、材料生长质量控制及器件结构可靠性研究，基于二次离子质谱仪（SIMS）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等高端表征设备产生，系统记录了实现高深宽比超级结结构全链条的离子注入杂质纵向分布、外延

国家基础学科公共科学数据中心110

In situ GIWAXS investigation of thin polymer films under uniaxial mechanical strain

半导体表征

应变工程

We will study the high-performance organic semiconductor PDVT-8 polymer on a stretchable substrate (PDMS), by GI-WAXS. The polymer rivals its inorganic counterparts in terms of carrier mobilities and

ESRF Portal2028-01-01 更新70

3dB耦合器功率不均衡度原始数据

电子器件测试

光通信组件

薄膜铌酸锂3dB耦合器是光电子集成关键组件之一，面向光通信等应用需求。该器件的功率不均衡度的测试方法为：利用激光源经过偏振控制器输入光源，经过片上非等臂马赫增德尔干涉仪传输通过光谱仪测得输出光谱性能，根据公式计算得到器件功率不均衡度。数据量为2个传输光谱。

国家基础学科公共科学数据中心70

UV-Vis analysis

半导体表征

材料光谱分析

ZnS_name of sample ZnS_Ag_2ml_name of the sample ZnS_Ag_4ml_name of the sample ZnS_Ag_7ml_name of the sample ZnS_Ag_10ml_name of the sample

Zenodo2025-02-24 更新70

全二维场效应晶体管器件的新型功能器件研究

二维材料光学

半导体表征

全二维场效应晶体管器件的新型功能器件研究数据，数据类型为文件，数据量共115MB，共享方式为完全共享。数据主要涉及光电探测器件及视觉传感器件的性能。该数据集样品表征部分由透射电镜（JEOLJEM-2100F）、光学显微镜（OlympusBX51）实现。输运数据部分于2019年-2024年在湖南大学低温半导体输运测量系统采集。光电响应的数据采集主要采用高速示波器和Keithley4200和Agile

国家基础学科公共科学数据中心70

FLASH_H2020_Electrical_characterization_Dataset

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