基于助熔剂生长技术制备大尺寸GaN单晶的晶体质量采集实验数据

本数据集围绕GaN助熔剂法单晶形核调控与大尺寸生长核心技术开展系统性实验与数值模拟的研究，通过数值模拟手段解析熔体内部氮元素传质机理以及晶体生长速率分布规律，迭代优化关键工艺参数，确定稳定高效的单晶生长区间；开发图形化衬底技术突破大尺寸GaN单晶自分离难题，，完成3英寸的低位错密度GaN单晶生长。数据包含仿真模拟数据、工艺优化数据、大尺寸GaN质量表征结果、相关成果。数据量141MB。