支持GAA器件的PDK数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-06-03 收录
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本数据集面向一种适用于 2 nm NSFET 技术的预设工艺设计套件 (PDK), 所有假设均基于公开来源。 钌 (Ru) 互连用于埋入式电源轨 (BPR) 和紧间距层。 环绕式接触 (WAC) 也集成到 Virtual_N2_PDK 中,以研究其对电路性能的影响。 通过使用 3D 技术计算机辅助设计 (TCAD) 电热仿真结果校准 BSIM-CMG 模型,为具有和不具有 WAC 的器件生成考虑自热效应 (SHE) 的 SPICE 模型。数据集包括:GAA器件模型说明及相关论文;GAA器件工艺PDK及物理设计流程测试报告;PDK模型文件具体内容包括:支持行业主流工具Virtuoso的工艺文件Techfile(.tf)、图层映射文件layermap和图层显示文件display(.drf)三类工艺设计文件、支持GAA先进工艺电路仿真的BSIM-CMG模型文件、基于OpenAccess数据格式的GAA器件PCell(支持版图参数化实现)、支持标准工具Calibre的物理验证规则文件DRC、LVS与PEX文件。
提供机构:
中国科学院微电子研究所


