AlN基忆阻器室温保持时间和最高工作温度性能

采用半导体参数分析仪与变温探针台联用的测试系统，开展了氮化铝（AlN）基忆阻器的高温阻变特性与可靠性测试，研究了宽温区环境下器件阻态保持特性与开关行为的关键规律。本数据集记录了 AlN 基忆阻器的器件制备工艺参数、直流电学性能、多温度点下的阻态衰减数据以及基于阿伦尼乌斯模型的动力学拟合结果等核心数据。结果表明，该 AlN 基忆阻器可在 485℃（758.15 K）高温下实现稳定的阻态开关，开关电导比始终保持在 10 以上；通过 673 K、723 K、758 K 三个高温点的系统测试，提取器件导电细丝溶解的激活能为 0.485 eV，经阿伦尼乌斯模型外推得到室温下低阻态保持寿命约 1.16×10⁸秒，实现了 AlN 基忆阻器超高温环境下的可靠工作与长寿命非易失存储特性，填补了该体系器件在 450℃以上高温性能研究的空白。