8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶生长数据集

本课题“大尺寸高纯半绝缘SiC衬底制备产业化技术”围绕“大尺寸SiC单晶衬底制备产业化”的总体目标，面向国家“新基建”中5G通讯用射频器件对高纯半绝缘SiC单晶衬底的需求，推动“碳达峰，碳中和”重大战略落地，开展大尺寸高纯半绝缘SiC单晶衬底大规模制备技术研究。重点突破大尺高纯半绝缘4H-SiC单晶晶型控制技术、大尺高纯半绝缘4H-SiC单晶微管缺陷控制技术、高质量籽晶扩径繁殖技术、高纯半绝缘SiC单晶深能级点缺陷控制技术、高纯半绝缘SiC单晶衬底表面加工技术、SiC单晶扩径生长技术、8英寸碳化硅单晶的热应力调控技术、大直径外延片翘曲抑制技术、AlGaN势垒厚度调制技术、慢速刻蚀工艺与刻蚀损伤修复工艺研究、高纯半绝缘SiC衬底物理表征技术等关键技术。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集来源于国家重点研发计划项目，专注于8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长与衬底制备，涵盖了晶型控制、微管缺陷控制、扩径生长及热应力调控等关键技术。数据由246个文件组成，总容量2.77GB，旨在支撑5G通讯射频器件所需的高纯半绝缘SiC衬底产业化应用。