III-V族光芯片工艺数据集

本数据集汇集了InP基半导体光电子器件在微纳加工过程中形成的关键工艺能力表征数据，重点反映器件制备过程中加工精度及其一致性水平。数据内容主要围绕波导图形定义与刻蚀工艺展开，通过对波导宽度误差、刻蚀深度误差及工艺重复性等核心参数的系统测量与统计分析，对InP基器件工艺稳定性与可控性进行量化评估，为高性能光子器件的设计与规模化制备提供数据支撑。数据集主要包括以下三类工艺能力表征数据： （1）加工精度表征数据：通过扫描电子显微镜（SEM）对关键器件结构进行成像与测量，评估光刻与刻蚀工艺对设计尺寸的还原能力及边缘形貌一致性； （2）波导宽度误差测量数据：利用SEM对不同设计宽度的波导结构进行统计测量，分析实际加工宽度与设计值之间的偏差及其在芯片内和批次间的分布情况； （3）刻蚀深度误差测量数据：采用SEM与台阶仪对刻蚀区域的台阶高度进行测量，获取实际刻蚀深度及其均匀性，并评估刻蚀工艺对目标深度的控制精度。 （4）工艺可重复性表征数据：针对同一版图结构，在不同芯片及不同加工批次中重复进行波导宽度与刻蚀深度测试，通过对多组SEM与台阶仪测试结果的对比与统计分析，评估工艺参数在重复加工条件下的稳定性与一致性。对应数据以统计分布图、对比图及原始测量数据形式给出。