嵌入式 RRAM 存储芯片数据

本数据集来源于嵌入式RRAM IP设计项目，覆盖器件单元设计、工艺制备、形貌表征、电学测试及电路行为验证等多个层级，总数据量约219 MB。通过透射电子显微镜（TEM）、能谱分析（EDS）和Agilent B1500测试仪等设备采集，并结合电路级仿真获得外围电路行为数据。数据集包含内容：（1）高密度嵌入式RRAM器件单元设计。包含能带设计与第一性原理计算，确定高非线性RRAM单元材料体系；（2）高密度嵌入式RRAM工艺制备流程。详细记录三维垂直堆叠工艺步骤与示意图；（3）高密度嵌入式RRAM形貌表征结果。展示初始及优化后器件的TEM和EDS mapping图像；（4）高密度嵌入式RRAM电学测试数据。涵盖I-V特性、非线性度、操作速度、耐久性及多层器件阻态分布等原始数据与图像；（5）高密度嵌入式RRAM电路行为验证。包含外围感应电路设计、读裕度与读取延迟的计算结果；（6）嵌入式 RRAM 存储芯片数据。数据集的数据论文。本数据集的价值在于：首次系统展示了高密度嵌入式RRAM从设计到验证的完整数据链路，可支撑器件结构优化、阵列级性能评估及存算一体架构研究。