28nm逻辑平台的RRAM集成工艺数据

本数据集围绕28 nm逻辑平台阻变存储器（RRAM）集成工艺开发，系统记录了从材料表征、微观结构验证到器件电学性能测试的全链条原始数据，总数据量约166 MB。通过ESCALAB Xi+光电子能谱仪、Talos F200E透射电子显微镜及配套能谱分析系统、B1500半导体参数分析仪等设备采集，并包含晶圆级Inline WAT测试数据。数据集包含：（1）关键工艺模块TEM数据，涵盖晶体管与RRAM单元的横截面形貌及EDS线扫描原始数据；（2）原始28nm 1T1R器件工艺，收录工艺迭代前全集成阵列的微观形貌，作为基准参照；（3）迭代后28nm 1T1R器件工艺，包含优化后器件的形貌与元素分析数据，用于验证工艺改进效果；（4）Inline测试及基本电学测试，提供晶圆级工艺在线参数与1T1R器件标准化电学性能基准；（5）RRAM模块XPS数据，包含阻变层薄膜的元素组成与化学态分析谱图。数据格式盖.dm3、.png、.jpg、.xls、.xlsx、.csv、.bmp等;（6）28nm逻辑平台的RRAM集成工艺数据。本数据集首次系统整理了28nm RRAM集成工艺从材料、结构到电学性能的完整数据链路，为工艺复现、器件优化、工艺波动性分析及先进平台评估提供可追溯的原始依据。