三维堆叠LTPO与逻辑电路单片集成的实验数据

该数据集面向三维堆叠LTPO器件和逻辑电路单片集成的研究，开展了结构设计和工艺优化，为高性能大面积TFT电路提供器件设计方法和工艺技术基础。基于ALD工艺制备的InOx n型TFT器件和与p型LTPS TFT 单片集成制备的LTPO器件产生，主要记录了不同薄膜生长厚度、退火条件以及宽长比优化条件下TFT器件漏端电流-栅极电压转移特性曲线、开关比和载流子迁移率的器件测试数据，LTPO器件的结构和材料表征、增益、噪声容等器件测试数据，以及单片集成LTPO逻辑电路的设计版图、不同供电电压下输出电压-输入电压转移特性、时序逻辑输出特性等电路设计和性能实测数据。数据集总量约为200MB。

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背景与挑战

背景概述

该数据集面向三维堆叠LTPO器件与逻辑电路单片集成研究，基于ALD工艺制备的InOx n型TFT和p型LTPS TFT单片集成LTPO器件，记录了TFT器件在不同薄膜厚度、退火条件及宽长比下的转移特性、开关比和迁移率，以及LTPO器件结构表征、增益、噪声容和逻辑电路的设计版图、电压转移特性、时序输出等实测数据，数据集总量约200MB。