RRAM新型应用测试数据

本数据集围绕RRAM存算一体原型芯片，系统记录了从电路设计、仿真验证、版图实现到流片测试的全流程数据，总数据量约810MB。采用Cadence Virtuoso套件完成电路设计与版图绘制，在九元S100测试平台上完成芯片实测验证，涵盖功能、时序与精度的系统性测试。数据集包含内容：（1）存内芯片电路设计数据（.sp、.spi、.lib），包含顶层与外围电路的原理图及仿真网表；（2）存内芯片电路仿真数据（.mt0、.tr0、.csv、.xlsx），记录芯片功能与性能仿真结果；（3）存内芯片版图（.gds），为完整的GDS版图文件；（4）存内芯片版图仿真数据（.spi），用于提取寄生参数；（5）存内芯片的器件设计仿真（.spi），记录RRAM单元存储特性仿真；（6）存内芯片实测数据（.xlsx、.pptx、.tek图片），包含高低阻态循环测试、SAR ADC功能测试、功耗测试及示波器波形；（7）存内芯片实物影像，含晶圆、芯片、板卡等照片；（8）流片工艺文档FSR，记录工艺参数与PDK配置；（9）封装工艺文档，包含封装基板设计与引脚布局；（10）RRAM新型应用测试数据。本数据集完整覆盖RRAM存算一体芯片从设计到实测的全链路数据，为电路级非理想因素评估、外围电路设计与硬件映射策略优化提供可追溯的原始依据，对存算一体芯片的协同设计与性能验证具有重要参考意义。