SiC功率器件辐射缺陷多尺度模拟数据

“SiC功率器件辐射缺陷多尺度模拟数据”数据集主要面向航空航天、核能、高能物理等领域对高可靠性碳化硅（SiC）功率电子器件的迫切研究需求而建设，旨在深入揭示SiC器件在空间及地面辐射环境下的损伤机理，为器件的抗辐射加固设计与应用可靠性评估提供关键的数据支撑。 本数据集基于“理论模拟”与“地面实验”相结合的先进方法产生。实验数据源自中国科学院近代物理研究所的兰州重离子加速器（HIRFL），利用高精度高功率源表（Keithley 2651A/2657A）对器件进行原位实时监测，采集辐照过程中的电流-电压响应。仿真数据则通过业界权威的Sentaurus TCAD软件，构建与实际器件结构高度吻合的物理模型计算生成，并通过与实验结果进行交叉验证，确保了其物理真实性。 数据集主要内容涵盖两大类：(1) 实验测量数据，完整记录了在不同偏置电压和重离子辐照条件下，SiC JBS二极管与MOSFET器件漏电流随离子注量的实时演化过程；(2) TCAD仿真模拟数据，精细呈现了单个重离子入射后在皮秒（ps）量级时间内，器件内部电场、晶格温度、载流子浓度等关键物理量的瞬态时空分布。具体研究内容包括了针对“SiC JBS单粒子漏电流退化及加固结构”、“衬底厚度对SiC JBS器件单粒子效应的影响”以及“栅氧化层厚度对SiC MOSFET器件中重离子诱导栅极潜在损伤的影响”等多个核心专题的数据。 数据体量方面，本数据集目前包含了上述三个核心研究方向的完整仿真与实验结果，以多种格式存储，包括原始监测数据（.txt）、仿真原始输出文件（.tdr）、结构化表格（.csv, .xlsx）以及可视化图件（.tif, .png），构成了覆盖从微观机理到宏观响应的多层次、多格式的数据集合，体量约20 Mb。